技術編號：6828644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及制造具有薄半導體膜的電微開關及用這種微開關構成的列-行(x-y)可尋址電開關矩陣。這些微開關是兩端器件，電流、電位或它們的導數或積分可以通過該器件根據外部偏置的大小或極性而開和關。它們按金屬/半導體/金屬薄膜結構的半導電薄膜構成。列-行可尋址電微開關矩陣可以制造成為覆蓋大面積，具有高像素密度。這種矩陣可以與電特性響應于外部物理條件(例如，光子輻射，溫度，壓力，X射線，磁場等)變化的一個(或數個)附加層成一體，從而形成各種探測器矩陣。傳統(tǒng)的電開...
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