技術(shù)編號(hào):6826751
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及摻氮空穴型(p型)氧化鋅薄膜材料的噴霧熱解制備方法,屬于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。背景技術(shù) 氧化鋅是一種新型的II-VI族直接帶隙寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性,具備了發(fā)射藍(lán)光或近紫外光的優(yōu)越條件,有望開(kāi)發(fā)出紫外、綠光、藍(lán)光等多種發(fā)光器件。實(shí)現(xiàn)ZnO基光電器件的關(guān)鍵技術(shù)是制備出優(yōu)質(zhì)的p型ZnO薄膜。本征ZnO是一種n型半導(dǎo)體,必須通過(guò)受主摻雜才能實(shí)現(xiàn)p型轉(zhuǎn)變。但是由于氧化鋅中存在較多本征施主缺陷,對(duì)受主摻雜產(chǎn)生高度自補(bǔ)償作用,并且受主雜質(zhì)...
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