技術編號：6826005
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于帶有漂移層的單極半導體器件的制造方法。此外，本發(fā)明還涉及半導體裝置。背景技術半導體器件經(jīng)常具有所謂的漂移層。漂移層被設計為在半導體器件的截止情況下接受截止電壓(Sperrspanrumg)。在半導體器件的導通運行中，可能有電流流過漂移層，其中盡可能小的電損耗功率是有利的。通常，半導體器件的漂移層沿著其生長方向具有均勻的、恒定的摻雜。作為對 1 ^" ' ^ M^l"Optimum Doping Profile for Minimum Ohm...
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