技術(shù)編號：6825418
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，更具體地說，本發(fā)明涉及的是由鋁作為主要成分的多層互連結(jié)構(gòu)及其制造方法，這種多層互連結(jié)構(gòu)可以抑制電遷移(EM)的發(fā)生和增長。隨著半導體器件高集成度的發(fā)展，其中有多個互連層彼此互連的多層互連結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜了。下面將參考附附圖說明圖1A至1F說明制造常規(guī)的多層互連結(jié)構(gòu)的方法例。如圖1A所示，在覆蓋在硅襯底(未示出)上的內(nèi)涂層介質(zhì)膜12上淀積一底部互連層14。而由等離子氧化物構(gòu)成的層間介質(zhì)膜16則在底部互連層14上形成并被整平。底部互連層14包括，...
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