技術(shù)編號：6825404
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體光發(fā)射器件領(lǐng)域，特別是涉及一種制備高效、廉價(jià)的InAlGaN器件的方法。已經(jīng)證明，因?yàn)槠湓谕庋由L工藝的高溫氨氣氛中具有穩(wěn)定性，藍(lán)寶石是生長高效InAlGaN光發(fā)射器件的優(yōu)選襯底。然而，藍(lán)寶石是導(dǎo)熱性很差的電絕緣體，使器件的設(shè)計(jì)不同尋常，而且效率很低。生長在藍(lán)寶石上的典型LED結(jié)構(gòu)具有兩個(gè)頂層電接觸和一個(gè)在p接觸上擴(kuò)展電流的半透明金屬層。這與標(biāo)準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)不同，在標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中電流是在導(dǎo)電襯底上生長的LED中流動(dòng)，例如在GaAs或GaP中，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。