技術(shù)編號(hào)：6825050
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，特別涉及一種用于包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管和堆疊電容器的DRAM的存儲(chǔ)單元及其制造方法。DRAM是最重要的集成電路之一。一種典型的DRAM包括排列成行和列的大陣列的存儲(chǔ)單元，各存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)可以控制單元的讀入和讀出的二進(jìn)制數(shù)字(位)。為了存儲(chǔ)寫和讀操作間的數(shù)據(jù)位，每個(gè)存儲(chǔ)單元一般包括與一般為MOS晶體管的開關(guān)串聯(lián)的電容器。為了在單個(gè)硅片上提供大陣列的存儲(chǔ)單元，重要的是采用占用小硅片面積且可以密集封裝的存儲(chǔ)單元。由于這種...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。