技術(shù)編號：6824249
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造。特別是，本發(fā)明涉及用于在集成電路中形成接觸芯柱且同時(shí)平面化襯底表面的新方法。隨著集成電路器件變得更復(fù)雜化，就需要更大量的互連級以連接器件的各個(gè)部分。一般接觸通孔形成在互連級之間以使一級連接到另一級。但按這種方式使用多層互連時(shí)，很難形成上層互連級和接觸通孔，這是由于由下層互連級引起的不平坦地形特征造成的。因此互連級的地形會(huì)影響制造集成電路器件的容易程度。多層互連級的不平坦地形特征是由在彼此上方形成各種互連層引起的，結(jié)果在器件表面產(chǎn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。