技術(shù)編號(hào)：6824139
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的制造，特別涉及在半導(dǎo)體襯底上形成隔離有源區(qū)的溝槽。隨著器件尺寸變小，器件的密度增加，要建立有效和可靠的隔離工藝來(lái)隔離有源器件變得越來(lái)越困難。標(biāo)準(zhǔn)的LOCOS的局限促進(jìn)了尋找和開發(fā)新的隔離方案，由于溝槽隔離使用了全凹槽氧化物，沒有鳥嘴，完全平面，并且不受場(chǎng)氧化物減薄效應(yīng)的影響，因此溝槽隔離是很有前途的選擇。形成溝槽隔離的已知方法通常包括以下步驟。首先腐蝕硅襯底需要的區(qū)域形成預(yù)定深度和寬度的溝槽。在溝槽內(nèi)形成熱氧化層，除去由腐蝕硅襯底的步驟產(chǎn)...
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