技術(shù)編號(hào)：6823549
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體基片上形成隔離溝槽的方法，以在基片中形成無孔隙隔離圖形，并且防止在后續(xù)的蝕刻步驟中在溝槽的邊界生成凹陷。在制作溝槽隔離時(shí)，公知的問題是，由于在硅基片上的溝槽中裝填絕緣材料所導(dǎo)致的孔隙。H.B.Pogge在U.S.Pat.No.4,256,514中公開了一種溝槽隔離的形成。Pogge描述了隔離的形成，其中使用化學(xué)汽相淀積或者類似方法將絕緣材料，如二氧化硅或者多晶硅等，淀積在溝槽圖形內(nèi)。此種系統(tǒng)使用均質(zhì)汽相反應(yīng)，其中，二氧化硅，多晶硅或者類似...
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