技術(shù)編號(hào)：6823541
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，用于相對(duì)于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜有選擇地各向異性地干腐蝕氮化硅膜。在干腐蝕氮化硅膜的常規(guī)方法中，使用SF6氣體，如例如在日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.8-321484中所述那樣，以及使用NF3和Cl2等，如例如在日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.6-181190中所述那樣。按照這些常規(guī)技術(shù)，可以相對(duì)于氧化硅膜有選擇地腐蝕氮化硅膜。但是，由于硅腐蝕速率快，不可能相對(duì)于硅膜有選擇地腐蝕氮化硅膜。當(dāng)使用例如CHF3或CF4與H2的混合氣體時(shí)，可以降低硅的腐蝕速...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。