技術(shù)編號(hào):6823198
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它包括一個(gè)在預(yù)定的α碳化硅多型區(qū)與電絕緣區(qū)之間的界面,其中在碳化硅區(qū)的電導(dǎo)率在界面上可通過(guò)感應(yīng)電荷加以改變。例如由“IEEE電子器件文摘”(“IEEE Electron Device Letters”Vol.18,No.3,1997年3月,93至95頁(yè))公知了此類半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此外,本發(fā)明還涉及上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。單晶形式的碳化硅是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,尤其由于其高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)及良好的導(dǎo)熱性,這種半導(dǎo)體材料特別適用于大功...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。