技術編號：6823019
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，特別是涉及DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)或電可改寫非易失性存儲器的高集成化和高性能化，或者對混合裝配有邏輯電路和DRAM或電可改寫非易失性存儲器的高集成半導體集成電路裝置適用且有效的技術。背景技術作為代表大容量存儲器的半導體存儲器有DRAM。從該DRAM的存儲容量具有日益增長的傾向，且伴隨著該增長要使DRAM的存儲單元的集成度提高的觀點來看，就不得不向著使存儲單元的專有面積縮小的方向發(fā)展...
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