技術(shù)編號(hào)：6821513
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于非易失性存儲(chǔ)器陣列的薄膜電阻存儲(chǔ)器器件，更具體地涉及RRAM存儲(chǔ)器單元的多層電極。背景技術(shù) 現(xiàn)在沒有商業(yè)可用的RRAM器件，然而，使用Pt，Au，Ag，Al，Ti和TiN電極的實(shí)驗(yàn)性器件已經(jīng)被開發(fā)出來(lái)了。Pt、An和Ag電極設(shè)備具有良好的持久力，然而，由這些材料形成的電極不能用傳統(tǒng)的集成電路蝕刻工藝來(lái)蝕刻。實(shí)驗(yàn)性器件通過使用淺掩?；蚧瘜W(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝制成，它們對(duì)于亞微米和大型存儲(chǔ)器件的制造既不合適而且成本效率不高。而在實(shí)驗(yàn)器件中使...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。