技術編號：6820803
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及等離子體處理裝置，特別涉及用于等離子體腐蝕半導體晶片的平行板等離子體處理裝置。當通過平行板(平板電極)等離子體處理裝置處理半導體晶片時，如果徑向向外地設置在半導體晶片外周邊的構件由如陶瓷、石英等的絕緣材料制成，那么等離子體具有位于絕緣構件的徑向的內(nèi)部區(qū)域的周邊區(qū)域。因此，在半導體晶片的中心和周邊區(qū)域分別產(chǎn)生不同狀態(tài)的等離子體，導致在半導體晶片的周邊區(qū)域的等離子體處理性能比半導體晶片的中心區(qū)域的等離子體處理性能差。鑒于以上的缺點，已嘗試通過在半導體...
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