技術(shù)編號(hào):6820793
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及主要用于批量生產(chǎn)具有均勻質(zhì)量的SOI襯底的襯底處理方法和裝置,具體地涉及制造SOI襯底的多孔硅以及SOI襯底。多孔硅是A.Uhlir和D.R.Turner在研究氫氟酸(下文簡(jiǎn)稱“氟酸”)的水溶液中正電位偏置的單晶硅的電解拋光時(shí)發(fā)現(xiàn)的。此后,為了探索多孔硅的優(yōu)良反應(yīng)性,考查硅集成電路制造時(shí)形成厚絕緣結(jié)構(gòu)以用于元件隔離,開發(fā)了使用多孔硅氧化膜的完全隔離技術(shù)(多孔氧化硅完全隔離)(K.Imai,Solid State Electron 24,159,1...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。