技術編號：6820789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及到物體分離裝置和方法以及半導體襯底的制造方法。具有SOI(絕緣體上硅)結構的襯底(SOI襯底)即在絕緣層上有單晶硅層的襯底。采用這種SOI結構的器件具有普通硅襯底無法得到的許多優(yōu)點。這些優(yōu)點的例子如下(1)由于介電隔離容易而可提高集成度。(2)可提高抗輻射能力。(3)由于寄生電容小而可提高器件的工作速度。(4)不需要阱形成步驟。(5)可防止閂鎖。(6)可用薄膜制作方法來制作完全耗盡的場效應晶體管。由于SOI結構有上述各種優(yōu)點，故近幾十年對它的制作...
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