技術(shù)編號：6820739
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路器件，更具體地說，涉及具有不可透過抗表面態(tài)的化學(xué)物種的層的半導(dǎo)體集成電路器件，以及制造該半導(dǎo)體集成電路器件的方法。半導(dǎo)體動態(tài)隨機存取存儲器件的典型例子示于附圖說明圖1和2中?，F(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體動態(tài)隨機存取存儲器件公開在IEDM,1988,pp.596-599中。在p型硅襯底1上制造現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體動態(tài)隨機存取存儲器件。場氧化層2被選擇生長在p型硅襯底1的主表面上，并限定多個有源區(qū)3a/3b。有源區(qū)3a向左側(cè)傾斜，并間隔地設(shè)置。另一方面...
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