技術(shù)編號：6820738
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件的生產(chǎn)方法，其用于多級互連結(jié)構(gòu)中形成互連圖形。LSI(大規(guī)模集成電路)是通過重復(fù)如下步驟進行的，即半導體基片上形成由各種材料形成的薄膜，然后通過光刻和蝕刻部分去除薄膜。光刻的作用是在預(yù)定的位置形成具有預(yù)定尺寸的圖形。蝕刻的作用是通過用光刻形成的圖形做掩膜從表面部分去除薄膜，從而形成具有所需尺寸的薄膜材料構(gòu)成的互連。下面對構(gòu)成LSI的金屬氧化物半導體晶體管的柵電極互連進行描述。如圖2A所示，在硅基片201上形成柵絕緣膜202，導電膜(...
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