技術(shù)編號(hào):6820646
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及從氧化硅膜蝕刻氮化硅膜的方法,更具體地,一種相對(duì)于氧化硅高選擇性地蝕刻氮化硅膜的方法。在半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)制造工藝中,為了各種目的需要對(duì)帶有氧化硅膜的基片上的氮化硅進(jìn)行干刻蝕(此后簡(jiǎn)稱(chēng)為“蝕刻”),如形成由氧化硅構(gòu)成的元件隔離區(qū)或在自校準(zhǔn)接孔的側(cè)壁膜上形成蝕刻阻擋層。一種用于蝕刻氮化硅的傳統(tǒng)技術(shù)是通過(guò)蝕刻直接形成由氧化硅膜構(gòu)成的元件隔離區(qū)。附圖說(shuō)明圖1A到1C為用于連續(xù)示出第一傳統(tǒng)工藝的半導(dǎo)體器件截面示意圖。在硅基片12上連續(xù)形成氧化硅膜14及氮化...
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