技術(shù)編號(hào)：6820044
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體晶片腐蝕，特別涉及改善的氣體分配板，該板顯著地降低出現(xiàn)在整個(gè)半導(dǎo)體晶片上的腐蝕處理中的非均勻性。眾所周知，在現(xiàn)有技術(shù)中，各種半導(dǎo)體制造技術(shù)都需要有選擇的去除沉積的金屬和介質(zhì)膜，并且在進(jìn)行DRAM處理的情況下，需要在半導(dǎo)體晶片中進(jìn)行深槽腐蝕。近來的趨勢(shì)是不愿采用眾所周知的濕式化學(xué)腐蝕處理，而轉(zhuǎn)為利用例如離子腐蝕和等離子體腐蝕等干式腐蝕處理。這是由于與濕式化學(xué)腐蝕處理相比，干式腐蝕處理在很大程度上改善了控制性和成本效率。在設(shè)計(jì)用來一次處理一...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。