技術(shù)編號：6819997
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的設(shè)計和生產(chǎn)。更詳細地說，本發(fā)明涉及在金屬熔絲生產(chǎn)中用來檢測蝕刻終點的改進的技術(shù)。有大量集成電路應(yīng)用需要某種用來存儲信息的可編程存儲器。在集成電路芯片上可編程地存儲數(shù)據(jù)的通用方法是設(shè)計所謂“金屬熔絲”。金屬熔絲一般是由在硅晶片的介電層上制備的已存在的金屬化層構(gòu)圖形成的。作為例子，在介電層上淀積金屬化層之后，利用旋涂方法在金屬化層上面涂上光刻膠。然后借助用來把所需圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上的掩模母版分步曝光裝置使光刻膠層形成圖案。一旦形成圖案(...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。