技術(shù)編號：6819890
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種快閃存儲器(flash memory)，特別是涉及一種利用柵極感應(yīng)漏極漏電流(gate induced drain leakage-GIDL)的快閃存儲器。在1980年末期，半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)了一種可電除且只讀存儲器(electricallyerasable PROM-EEPROM)，其成本低且密度高，因此開創(chuàng)了存儲器市場的新紀(jì)元。而“快閃”(flash)一詞是指它可以在短時(shí)間內(nèi)，比如1秒鐘抹除整個(gè)存儲器陣列的方式。典型的快閃存儲器是通過熱電子(...
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