技術編號：6819556
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)元件的制造方法，特別是涉及一種DRAM元件電容器結(jié)構的制造方法。高密度DRAM元件的發(fā)展常受限于其電容器結(jié)構，新的電容器設計，必須以增加電容器面積使電容量增加為目的。例如Kim的第5,447,882號美國專利便描述一種適用于堆疊電容器，形狀為皇冠狀的新存儲節(jié)點外形(storage node configuration)，其特征包含利用多晶硅突出的結(jié)構，以增加電容器的表面積，然而，此方法將增加工藝的復雜性，且不能提...
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