技術(shù)編號(hào)：6819494
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及一種在大型半導(dǎo)體元件中。隨著超大型集成電路(Ultra Large Scale IntegratedULSI)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access MemoryDRAM)技術(shù)的進(jìn)步，存儲(chǔ)單元(memorycell)的尺寸越來(lái)越小，而其可用的面積也越來(lái)越小。一個(gè)DRAM單元的制作過程包含了形成一晶體管、一電容器以及接觸周邊電路的接觸窗(contact)。所以如何將DRAM存儲(chǔ)單元中的元件面積縮小，便成為半導(dǎo)體設(shè)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。