技術(shù)編號：6819429
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制備基于非晶碳薄膜的可調(diào)的且可去除的抗反射涂層的方法。由于邏輯和存儲芯片的特征尺度縮小到小于0．35μm，臨界尺寸(CD)公差變得更加嚴(yán)格。CD的變化與襯底的反射直接相關(guān)，反射在DUV(深紫外光)波長(365，248，193nm)急劇增大。由于產(chǎn)生駐波效應(yīng)和對光致抗蝕劑的刻痕，襯底反射是非常不好的。駐波是薄膜干涉(TFI)或貫穿抗蝕劑全厚度的光強(qiáng)的周期性變化。這些光強(qiáng)的變化是由于抗蝕劑平面化隨下層形貌厚度不同而產(chǎn)生的?？毯塾梢r底形貌和不均勻的襯底...
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