技術(shù)編號：6819428
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及，更具體地說，涉及具有改進(jìn)的平面性和堿離子吸收特性的結(jié)構(gòu)和方法。正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知道的那樣，使用光刻技術(shù)在半導(dǎo)體工藝中形成小線寬幾何形狀時(shí)，必須為在這種工藝中所用的各種光刻掩模提供一高度平整的表面。而且，在制造動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAMS，dynamic randomaccess memories)時(shí)，多柵極之間的相互間隔很小。多個(gè)柵極提供了一高外觀比率(aspect ratio，又稱高寬比)的外形。而且，高外觀比率外形附近的表面區(qū)...
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