技術(shù)編號(hào)：6819253
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種可用于例如短波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光及高溫高速晶體管等的。半導(dǎo)體激光被廣泛地用于光盤的讀出及寫入。由于光盤單位面積的可記入信息量與半導(dǎo)體激光的波長(zhǎng)平方成反比，所以，為實(shí)現(xiàn)高密度記錄，必須使用短波長(zhǎng)的激光。氮化鎵的禁帶寬度較大，為3.4eV，且是屬于直接躍遷型半導(dǎo)體，可以制得氮化鎵與氮化鋁和氮化銦的混合晶。為此，因?yàn)槿菀椎刂频糜糜诎雽?dǎo)體激光所必須的不同禁帶寬度的半導(dǎo)體結(jié)的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，人們期待作為一種波長(zhǎng)在400nm左右的短波長(zhǎng)激光材料使用。又，上述氮化鎵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。