技術(shù)編號：6818774
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及到一種具有存儲功能、邏輯功能和各種特定半導(dǎo)體材料功能的。更具體地說，本發(fā)明涉及到這種半導(dǎo)體器件的多層互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制作方法。近年來，伴隨著半導(dǎo)體集成電路封裝密度的改進(jìn)和增加，多層布線結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和使用已有顯著發(fā)展。在一個邏輯型半導(dǎo)體器件中，因?yàn)樾枰s短信號的傳播延遲，所以要求減小層間絕緣層的介電常數(shù)。因此，曾經(jīng)研究使用高密度等離子體CVD(化學(xué)氣相淀積)裝置(HDP-CVD)引入含氟氣體淀積SiOF(ε≈3.3)作低介電常數(shù)層。當(dāng)使用SiOF層作...
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