技術(shù)編號：6818709
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，尤其是在對MOS(金屬氧化物硅)型半導體器件中熱載流子和由于減速阻擋造成的特性變化的抑制的改善。圖5描繪出了一種常規(guī)的MOS型半導體器件，它包括其上形成有一絕緣區(qū)102的一半導體基片101、在絕緣區(qū)102之外區(qū)域形成的一阱區(qū)103、在基片表面附近形成的源極區(qū)和漏極區(qū)、設(shè)置在這些區(qū)域之上的一柵氧化層104、及在柵氧化層104上形成的多晶硅的柵極105。在柵極105的側(cè)面形成的是為柵極105限定側(cè)壁的第一氧化物膜106，而第二氧化物膜108是構(gòu)...
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