技術(shù)編號(hào)：6818179
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨組合物，特別是指一種用于半導(dǎo)體制程且包含一金屬殘留抑制劑的化學(xué)機(jī)械研磨組合物。背景技術(shù) 化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing，簡(jiǎn)稱為“CMP”)技術(shù)是為了解決因集成電路(IC)制造時(shí)的鍍膜高低差異而導(dǎo)致于微影制程上難以聚焦的問題所開發(fā)出來的一項(xiàng)平坦化技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨技術(shù)首先被少量應(yīng)用在0.5微米元件的制造上，但是隨著元件尺寸的縮小，化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)被應(yīng)用的幾率也隨著增加，而目前已儼然成為業(yè)界不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。