技術編號：6816511
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，特別是涉及強電介質(zhì)存儲器件中對特性離散和特性退化的改進。作為現(xiàn)有的半導體器件，已開發(fā)出了從例如已搭載有放大電路，振蕩電路和電源電路等的規(guī)模比較小的集成電路，到作為微處理器或存儲器件的大規(guī)模的集成電路的各種器件。特別是近些年來，作為非易失性存儲器件的一種，人們提出了一種帶有強電介質(zhì)電容器的強電介質(zhì)存儲器件。上述強電介質(zhì)電容器由相向的一對電極和由被夾在該兩電極之間的強電介質(zhì)材料構成的電介質(zhì)層構成，對于上述兩電極間的外加電壓與強電介質(zhì)材料的...
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