技術(shù)編號：6816349
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種有在p型氮化鎵(GaN)基化合物半導(dǎo)體層上形成的透光電極和電極焊盤的器件。在普通的化合物半導(dǎo)體中，由于僅僅依靠淀積金屬不能獲得歐姆接觸，所以通過在半導(dǎo)體表面淀積金屬和加熱金屬、以將其轉(zhuǎn)換為合金并使金屬擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體中來獲得歐姆接觸。即使當(dāng)p型GaN基化合物半導(dǎo)體經(jīng)受降低電阻的處理，例如用電子束照射，但這樣處理的半導(dǎo)體仍有比n型GaN基化合物半導(dǎo)體高的電阻率。因此，在這類p型GaN基化合物半導(dǎo)體中，p型層在橫向方向上幾乎沒有電流流過，僅在電極正下...
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