技術(shù)編號：6816347
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及適用于制造諸如半導(dǎo)體集成電路，太陽能電池，半導(dǎo)體激光器或發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件的。特別涉及包括把半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移到襯底上的工藝步驟的。就半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體襯底和各種半導(dǎo)體器件而言，半導(dǎo)體制品是通用的包括利用其半導(dǎo)體區(qū)域制造半導(dǎo)體器件的制品和用作制造半導(dǎo)體器件的預(yù)制品的制品。所考慮的某些類型的半導(dǎo)體制品包括設(shè)置在絕緣體上的半導(dǎo)體層。在絕緣體上形成單晶硅半導(dǎo)體層的技術(shù)叫作絕緣體上的硅(SOI)技術(shù)，這是公知的技術(shù)，為了利用用體Si襯底制造常規(guī)Si集成電路...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。