技術編號：6816342
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造半導體器件的方法，更詳細地說，涉及一種能使半導體襯底上產(chǎn)生的應力達到最小的槽式隔離法。為了增加半導體器件的集成度，已開發(fā)了一種使用槽的隔離法，已制造了應用該方法的器件。在典型的槽式隔離法中，對半導體襯底的預定區(qū)域進行刻蝕以形成具有四邊形剖面的槽區(qū)，在該槽區(qū)中形成由絕緣材料構成的隔離膜。此時，進行下述工藝，使槽的內側壁氧化，或對充填于該槽區(qū)內的絕緣材料進行增密處理(densify)。這用于消除刻蝕形成槽時產(chǎn)生的損傷。在該工藝中，由于在隔離膜...
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