技術(shù)編號：6815832
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及對下導電層的表面結(jié)構(gòu)、i層晶體結(jié)構(gòu)，和摻雜層的結(jié)構(gòu)進行了改進的非單晶光電轉(zhuǎn)換元件。迄今為止，研究表明將非單晶半導體的pin結(jié)引入到光電轉(zhuǎn)換元件中可以增加光電轉(zhuǎn)換效率并可改善光衰減(optical degradation)。眾所周知，增加摻雜層中的摻雜劑濃度會降低摻雜層中的激活能，從而增加pin結(jié)的內(nèi)建電勢并增加元件的開路電壓。同樣公知，i型半導體層使用微晶材料可以改善光衰減。據(jù)報道，通過采用VHF(70MHz)的等離子增強CVD工藝，使用微晶硅(...
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