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用pvd和cvd法形成難熔金屬覆蓋的低阻金屬導(dǎo)體線與通路的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6815822

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本發(fā)明一般涉及連接襯底上,諸如半導(dǎo)體上的電路與相應(yīng)的封裝件的導(dǎo)電線路與通路的制法,尤其涉及采用物理汽相淀積(PVD)法淀積低阻金屬和化學(xué)汽相淀積(CVD)法淀積難熔金屬的組合在具有大的高寬比的亞微米孔及線路中形成襯墊的方法。本發(fā)明特別適用于亞微米電路的制作。低阻金屬,諸如鋁和銅以及它們的二元或三元的合金已廣泛用于半導(dǎo)體制作的細(xì)線互連。細(xì)線互連金屬的典型例子包括AlxCuy,其中x與y之和等于1,且x與y都大于或等于0而又小于或等于1,三元合金,如Al-Pd...
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