技術(shù)編號:6815822
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及連接襯底上,諸如半導(dǎo)體上的電路與相應(yīng)的封裝件的導(dǎo)電線路與通路的制法,尤其涉及采用物理汽相淀積(PVD)法淀積低阻金屬和化學(xué)汽相淀積(CVD)法淀積難熔金屬的組合在具有大的高寬比的亞微米孔及線路中形成襯墊的方法。本發(fā)明特別適用于亞微米電路的制作。低阻金屬,諸如鋁和銅以及它們的二元或三元的合金已廣泛用于半導(dǎo)體制作的細(xì)線互連。細(xì)線互連金屬的典型例子包括AlxCuy,其中x與y之和等于1,且x與y都大于或等于0而又小于或等于1,三元合金,如Al-Pd...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。