技術(shù)編號(hào):6814731
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有結(jié)晶性的薄膜半導(dǎo)體。此外還涉及該薄膜半導(dǎo)體的制作方法。還涉及利用了該薄膜半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置以及該半導(dǎo)體裝置的制作方法。人們都知道一種先在玻璃基板和石英基板上形成具有結(jié)晶性的硅膜,再用該硅膜來(lái)制作薄膜晶體管(以下稱之為TFT)的技術(shù)。該薄膜晶體管被稱之為高溫多晶硅TFT和低溫多晶硅TFT。高溫多晶硅TFT是把800℃或900℃以上這樣的比較高溫的加熱處理用作結(jié)晶性硅膜的制作方法的技術(shù)??梢哉f(shuō)該技術(shù)是利用了單晶硅圓片的IC制作工藝的派生技術(shù)。當(dāng)然...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。