技術(shù)編號：6814685
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，特別是涉及強電介質(zhì)、高介電系數(shù)材料和白金的刻蝕方法。人們知道利用了已形成于半導(dǎo)體襯底上邊的強電介質(zhì)膜的自然極化的非易失性存儲器。此外，還知道把由高介電系數(shù)材料構(gòu)成的電容器備于半導(dǎo)體襯底上邊的DRAM(動態(tài)RAM)。在這些種類的存儲器的制造過程中，需要對強電介質(zhì)和高介電系數(shù)材料和用作它們的電極的白金(Pt)進行微細加工。人們熟悉用以光刻膠為掩模且應(yīng)用氯(Cl2)氣體的等離子體的干蝕法加工強電介質(zhì)和高介電系數(shù)材料的方法。但是，由于強電介質(zhì)和高介電系...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。