技術編號：6812361
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，如二極管、三極管、晶閘管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、MOS場效應管和集成電路，本發(fā)明特別適用于需要提高擊穿電壓的半導體器件。背景技術通常用于提高半導體器件如三極管的介電擊穿強度的方法如圖4所示。場限制環(huán)(FLR)4位于基區(qū)2之外，這樣，在位于基區(qū)2和集電區(qū)1之間的PN結下形成的耗盡層11擴展到場限制環(huán)4的外面。通常的三極管包括集電區(qū)1、基區(qū)2和發(fā)射區(qū)3。集電區(qū)1包括N+半導體襯底1a和通過外延生長形成于襯底上的低摻雜N-層1b。通...
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