技術編號：6812273
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術 人們正在開發(fā)三維安裝形態(tài)的半導體裝置。而且已經(jīng)知道為了三維安裝成為可能，在半導體芯片上形成穿透電極。穿透電極是從半導體芯片凸出形成的。在以往所知道的穿透電極的形成方法中，電連接時的特性優(yōu)越地形成穿透電極的凸出部分是很困難的。發(fā)明內容本發(fā)明的目的是形成高質量的穿透電極。(1)本發(fā)明涉及的，包括(a)形成有集成電路的半導體基板上，從第一面形成凹部；(b)在上述凹部上設置導電部；(c)從相反于上述半導體基板的上述第一面的第二面，凸出上述導電...
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