技術(shù)編號：6812184
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于制造半導體器件的外延膜生長方法，特別涉及用化學汽相淀積(CVD)在單晶硅襯底上形成硅基材料外延膜的方法。近來，用室(反應腔)內(nèi)壓力可設定于10-9乇以下的超高真空CVD設備在半導體襯底上生長硅(Si)外延膜或硅鍺合金(SiGe)外延膜。用超高真空CVD設備能抑制室內(nèi)氧的分壓，因而，能在接近600℃的較低溫度外延生長。為了在硅襯底上外延生長硅膜等，必須預處理硅襯底，以除去硅襯底上形成的氧化硅膜。用超高真空CVD的常規(guī)處理方法中，用汽化作用除去氧...
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