技術(shù)編號：6812182
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置，特別是具有變形多重量子勢阱活性層的半導(dǎo)體激光裝置。為了將紅色激光二極管的振蕩波長從685nm縮短為635-650nm，最近，使用減小多重量子勢阱活性層的GaInP勢阱層的In組成比的變形多重量子勢阱結(jié)構(gòu)。這樣，當(dāng)減小GaInP的In組成比時，對于GaAs基板，晶格常數(shù)就減小了，從而在上述活性層中將發(fā)生牽引變形。當(dāng)應(yīng)變多重量子勢阱層的晶格常數(shù)如上述那樣與基板不完全一致時，如果勢阱層和勢壘層的層數(shù)增多，勢阱層和勢壘層便相互牽引而接近相...
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