技術(shù)編號：6812175
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件所用的晶體管柵電極，尤其是涉及在非晶硅上層疊硅化鎢結(jié)構(gòu)的柵電極。通常，MOS晶體管的柵電極是在先于源極和漏極，首先形成柵絕緣膜的半導(dǎo)體襯底上形成的。所述柵電極是由多晶硅形成的，為提高其性能，或者用非晶質(zhì)的多晶硅代替，或者在多晶硅上層疊硅化鎢層。圖2是已有的實施例，是具有在多晶硅層上層疊硅化鎢的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的局部剖視圖。參看圖2，已有的柵極結(jié)構(gòu)是，在半導(dǎo)體襯底10的表面形成柵氧化膜(SiO2)12，在柵氧化膜上部依次層疊多晶硅層14和...
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