技術(shù)編號：6811915
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及形成精細接觸孔的方法，特別是能減少硅襯底損耗的方法。通常，當在第一導電層和與第一導電層絕緣接觸的第二導電層之間形成電氣互連時，一定要形成接觸孔，除掉與第二導電層絕緣接觸的第一導電層的絕緣層的一部分。隨著半導體器件的集成度的增加，因為接觸孔的高度變高及寬度變窄臺階覆蓋層變差。因此，為了獲得良好的臺階覆蓋層，一定要寬大地形成到接觸孔的通路。因此，接觸孔成為酒杯形。附圖說明圖1A到圖1C是表示按照現(xiàn)有技術(shù)的第一實施例形成接觸孔方法的剖視圖。如圖1A所示...
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