技術(shù)編號：6811887
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件(Semiconductor MemoryDevice)，且特別是涉及一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的一存儲單元(Memory Cell)結(jié)構(gòu)，其包含一轉(zhuǎn)移晶體管(Transfer Transistor)和一樹型(tree-type)存儲電容器。附圖說明圖1是一DRAM元件的一存儲單元的電路示意圖。如圖所示，一個存儲單元是由一轉(zhuǎn)移晶體管T和一存儲電容器C組成。轉(zhuǎn)移晶體管T的源極連接到一對應(yīng)的位線BL，漏極連接到存...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。