技術(shù)編號：6811752
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造場氧化層的方法，該場氧化層用來使器件與其它器件電絕緣，具體地說，本發(fā)明涉及一種用NH3氣熱處理來增大有源區(qū)的工藝方法。通常，用于器件間電隔離的場氧化層是通過硅局部氧化的(LO-COS)方法形成的，該方法用氮化物層之類的氧化掩模層使硅襯底的局部區(qū)域氧化。但是，由于硅局部氧化法會形成“鳥嘴”(birdsbeak)而減小器件的有源區(qū)，所以，實際上現(xiàn)在都采用經(jīng)改進(jìn)的硅局部氧化法，例如OSELO法(補償硅局部氧化法(off-set Locos))和...
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