技術(shù)編號(hào):6811061
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電容器,特別是亞微米CMOS技術(shù)集成電路中的電容器、諧振器和濾波器,更為具體地,涉及形成硅芯片的高單位面積電容的方法,以及實(shí)施該方法的電容器、諧振器、濾波器和傳輸線。背景技術(shù) 能夠?qū)⒓呻娐酚糜谖⒉ǚ秶蚋哳l率的高頻電路是一個(gè)期望。增大速度/頻率的期望則需要特征尺寸減小,在CMOS及相關(guān)技術(shù)中,目前柵長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于1.0μm。這導(dǎo)致硅芯片的單位面積價(jià)格(即$/mm2)急劇降低。已經(jīng)嘗試使用高集成密度、低成本標(biāo)準(zhǔn)硅技術(shù),例如CMOS和雙極。這種硅技術(shù)...
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