技術(shù)編號：6810113
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及襯底，尤其是半導(dǎo)體晶片襯底的等離子體處理，以及在所述處理中產(chǎn)生、增強和控制等離子體尤其是電容耦合等離子體。本申請是2002年12月20日提交的美國專利申請序列號No.10,324,213的部分繼續(xù)申請，其中所述內(nèi)容作為引用而結(jié)合于此。背景技術(shù) 等離子體用于半導(dǎo)體的生產(chǎn)中，例如等離子體蝕刻、離子化物理氣相沉積(iPVD)和等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)等工藝中。在這些應(yīng)用中，等離子體通常是通過電容耦合能量到真空室中的反應(yīng)氣體，以將所述氣體的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。