技術(shù)編號(hào)：6809755
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及包括雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管在內(nèi)的。使用III-V族化合物半導(dǎo)體的普通異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管已有過描述，例如，在National Technical Report Vo1.39 No.6(Dec.1993)，pp.729-735中(第一先前技術(shù))。其剖面結(jié)構(gòu)表示在圖2(a)中。在GaAs襯底1上形成重?fù)诫s的n-型GaAs輔助收集極層2、n-型GaAs收集極層3、重?fù)诫s的p-型GaAs基極層4、n-型AlGaAs發(fā)射極層5，用于形成歐姆接觸的重?fù)?..
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。