技術(shù)編號：6809209
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及。具體地講，本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體器件間設(shè)置能使半導(dǎo)體器件的有源區(qū)最大化的隔離的方法。在制造半導(dǎo)體器件，如DRAM、SRAM等存貯元件中，器件間的隔離是通過選擇性的氧化達(dá)到的。附圖說明圖1是通過硅局部氧化(local oxidation of silicon下文稱作LOCOS工藝)的現(xiàn)有選擇氧化方法所形成的包括圍繞有源區(qū)在內(nèi)的場氧化層的局部剖面圖。該工藝如下。參照圖1，經(jīng)熱氧化在硅半導(dǎo)體襯底1上形成熱氧化層2。然后，在已形成的氧化層2上形成氮化硅...
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